第四届“芯原杯”电路设计大赛报名开启

来源:信息科学与技术学院  作者:邸志雄  日期:2018-04-24  点击数:433


竞赛组织

主办单位:

芯原控股有限公司

电子科技大学

西安电子科技大学

协办单位:

四川大学 西南交通大学

西安交通大学 西北工业大学

承办单位:

电子科技大学 电子科学与工程学院

西安电子科技大学 微电子学院


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参赛要求

具有模拟电路设计基础,并有正式学籍的全日制在校研究生及准研究生均有资格报名参赛。每人限参加1支参赛队伍,每支参赛队由3名学生组成,


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比赛赛制

“芯原杯”电路设计大赛由芯原控股有限公司发起,电子科技大学与西安电子科技大学共同主办。本赛事采用初赛-决赛制,初赛为笔试环节(闭卷),决赛由上机和答辩评审组成。

初赛西安赛区和成都赛区:成都赛区包含电子科技大学、四川大学、西南交通大学等高校;西安赛区包含西安电子科技大学、西安交通大学、西安工业大学等高校。电子科技大学与西安电子科技大学分别负责所在地区的初赛组织工作,并从两赛区各评选出十支队伍进入决赛。

第四届“芯原杯”决赛由电子科技大学电子科学与工程学院承办。

决赛采用全封闭式竞赛模式,2天内(每天08:30-20:30)完成参赛作品,其中1天电路,1天版图,并提交相应设计报告。决赛次日进行评审答辩

决赛题目在比赛当天公布,以模拟电路设计为主题。

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竞赛主题

FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)是一种介于传统的平面体硅工艺和三维FinFET工艺之间的器件结构。

它兼有平面工艺的简单低成本,SOI工艺的的低漏电、抗辐射,和接近FinFET的高性能、低功耗等特点,而且额外支持灵活的衬底偏压技术。

它进一步延伸了20nm以下摩尔定律的发展,非常适合物联网、移动设备等高性能低成本应用以及对可靠性要求更高的汽车电子等需求。

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评分标准


以参赛作品评审为主体,完成命题设计占80%,自主创新占20%,完成规定外设计可得额外分数。

竞赛评委由芯原专家组和高校教授专家组共同组成。

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比赛流程

初赛的技术讲座和培训由芯原股份有限公司统一安排,电子科技大学电子学院与西安电子科技大学微电子学院配合组织所在赛区培训工作。为避免试题泄露,初赛笔试在两高校同时进行。

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比赛流程



1参赛者报名参赛的时间为4月16 日- 5月15日

2初赛阶段(分为三部分进行):

a.技术讲座:5月22日

b.赛前课程(理论+上机):5月28-31日

c.初赛(笔试):6月2日

3决赛阶段(分为三部分进行):

a.决赛(上机): 6月9-10日

b.决赛答辩: 6月11日

c.颁奖典礼:

6月12日上午电子科技大学

6月12日下午芯原(成都)参观

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奖项设置

一等奖

获奖证书、9000元奖金、芯原实习机会、

芯原(上海)公司参观。

二等奖

获奖证书、6000元奖金、

芯原(上海)公司参观。

三等奖

获奖证书、3000元奖金。

入围奖

所有进入决赛的选手均受邀参观

芯原(成都)公司。

参赛奖

每名选手均有参赛奖

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报名方式


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